Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://repository-old.ntt.edu.vn/jspui/handle/298300331/2227
Nhan đề: | Transport phenomena and conductivity mechanism in Sm doped Bi4V(2-x)SmxO11 ceramics |
Tác giả: | Bag, Sasmitarani Behera, Banarji |
Từ khoá: | Aurivillius Solid-state reaction Impedance Electrical conductivity Activation energy |
Năm xuất bản: | 2016 |
Nhà xuất bản: | Vietnam National University, Hanoi |
Tùng thư/Số báo cáo: | Journal of Science: Advanced Materials and Devices (2016);Vol. 1, P.512-520 |
Tóm tắt: | The polycrystalline samples of Sm doped Bi4V2 xSmxO11 with x ¼ 0.05, 0.10, 0.15 and 0.20 ceramics were prepared by using solid-state reaction technique. The structural characterization of the prepared samples were confirmed by X-ray powder diffraction (XRD) and showed an orthorhombic and monoclinic phase. The nature of Nyquist plot confirms the presence of both grain and grain boundary effects for all Sm doped compounds. The grain resistance decreases with rise in temperature for all the samples and exhibits a typical negative temperature co-efficient of resistance (NTCR) behavior. The ac conductivity spectrum obeys Jonscher's universal power law. The modulus analysis suggests a possible hopping mechanism for electrical transport processes of the materials. The nature of variation of dc conductivity suggests the Arrhenius type of electrical conductivity for all the samples. |
Mô tả: | 9 p. |
Định danh: | http://repository-old.ntt.edu.vn/jspui/handle/298300331/2227 |
ISSN: | 2468-2179 |
Bộ sưu tập: | CÔNG NGHỆ HÓA VÀ THỰC PHẨM_J |
Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
---|---|---|---|---|
TransportPhenomenaAndConductivityMechanismInSmDopedBi4V(2-X)Smxo11Ceramics.pdf Giới hạn truy cập | 2.63 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.